{"id":3367,"date":"2023-05-22T13:27:18","date_gmt":"2023-05-22T13:27:18","guid":{"rendered":"https:\/\/www.oritech.in\/?page_id=3367"},"modified":"2025-02-05T14:38:48","modified_gmt":"2025-02-05T09:08:48","slug":"oritech-hybrid-igbt-inverter-technology","status":"publish","type":"page","link":"https:\/\/www.oritech.in\/es\/oritech-hybrid-igbt-inverter-technology\/","title":{"rendered":"Tecnolog\u00eda IGBT de Oritech"},"content":{"rendered":"\t\t
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\n\t\t\t\n\t\t\t\t\n\t\t\t\t\tSolicitar una cotizaci\u00f3n\t\t\t\t<\/span>\n\n\t\t\t\t\t\t\t<\/a>\n\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t<\/section>\n\t\t\t\t
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\n\t\t\t\n\t\t\tEn Oritech, nos enorgullecemos de estar a la vanguardia de los avances tecnol\u00f3gicos en la industria. Nuestro compromiso con la excelencia se ejemplifica mediante nuestra utilizaci\u00f3n de la tecnolog\u00eda IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) en nuestros productos. Como innovadores l\u00edderes en el campo, creemos que la tecnolog\u00eda IGBT nos diferencia de la competencia y nos permite ofrecer las mejores soluciones a nuestros valiosos clientes.\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Tecnolog\u00eda de Inversor H\u00edbrido IGBT de Oritech.<\/h1> \n\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Oritech sigue un enfoque de 3 pasos para lograr un ahorro garantizado del 7.5% en energ\u00eda:<\/p>

  1. Tecnolog\u00eda<\/li>
  2. Dise\u00f1o<\/li>
  3. Calidad de construcci\u00f3n<\/li><\/ol>
    1. Tecnolog\u00eda: Logrando un ahorro del 4% al 5% en energ\u00eda<\/strong><\/li><\/ol>
      • Tecnolog\u00eda de inversor basada en IGBT, desarrollada de forma ind\u00edgena, m\u00e1s avanzada y super eficiente.<\/li>
      • Dise\u00f1o de circuito paralelo de tanque de voltaje de inversor h\u00edbrido.<\/li>

      • \u00bfQu\u00e9 es la tecnolog\u00eda IGBT?<\/h2>
        • El Transistor Bipolar de Puerta Aislada (IGBT) es un dispositivo semiconductores de potencia de vanguardia que combina las mejores caracter\u00edsticas de los transistores de uni\u00f3n bipolar (BJTs) y los transistores de efecto de campo de \u00f3xido met\u00e1lico (MOSFETs). Ampliamente aceptados en el \u00e1mbito de la electr\u00f3nica de potencia, los IGBTs destacan en aplicaciones que exigen robustas capacidades de voltaje y corriente, como controladores de motores, sistemas de energ\u00eda renovable, veh\u00edculos el\u00e9ctricos y equipos industriales.<\/li><\/ul><\/li>

        • Beneficios del dise\u00f1o h\u00edbrido de inversores IGBT de Oritech<\/h2>
          • Potencia controlada mediante el cambio de frecuencia.<\/li>
          • Factor de potencia superior a 0.96 para 6 pulsos, 0.97 para 12 pulsos y 0.97 para 24 pulsos en cualquier carga. No se requiere circuito chopper.<\/li>
          • La potencia de salida permanece constante frente a fluctuaciones de voltaje de l\u00ednea.<\/li>
          • Solo la corriente activa pasa a trav\u00e9s del dispositivo de potencia.<\/li>
          • La tensi\u00f3n en el IGBT es la misma que la del bus de CC, por lo que no hay tensi\u00f3n de voltaje en el IGBT.<\/li>
          • La tensi\u00f3n de corriente y voltaje en los dispositivos de potencia es baja.<\/li>
          • Dise\u00f1o a prueba de cortocircuitos de salida. Se puede apagar a trav\u00e9s de un inversor en menos de 10 \u00b5s desde la detecci\u00f3n de fallas y funciona de manera robusta en cualquier condici\u00f3n de carga.<\/li><\/ul><\/li><\/ul>
            1. Dise\u00f1o:<\/strong>Logrando un ahorro del 1.5% al 2.5% en energ\u00eda<\/li><\/ol>
                • La p\u00e9rdida de energ\u00eda el\u00e9ctrica ocurre en circuitos y componentes controlados por un inversor h\u00edbrido - Dise\u00f1o de circuito paralelo de tanque alimentado por voltaje<\/li>
                • Las p\u00e9rdidas causadas por el cable de alimentaci\u00f3n suministrado desde una fuente de alimentaci\u00f3n de frecuencia variable a una carga son, generalmente, entre 2% y 7%.<\/li>
                • El camino del circuito de tanque se reduce a menos de 1.5 m en total<\/li>
                • Se ha probado con \u00e9xito y suministrado un banco de capacitores acoplado a un crisol de hasta 5 mt imf, lo que ahorra aproximadamente 2.5% unidad\/tonelada m\u00e1s<\/li>
                • Estamos realizando pruebas para la implementaci\u00f3n de la misma tecnolog\u00eda para hasta 15 mts. imf. Despu\u00e9s de una prueba exitosa, se ahorrar\u00e1 aproximadamente 2.5% de energ\u00eda m\u00e1s<\/li><\/ul><\/li><\/ul>
                  1. Calidad de construcci\u00f3n:<\/b> Logrando ahorros de energ\u00eda del 0.5% al 1.5%.
                    1. Hoja de laminaci\u00f3n CRGO de alta calidad y tama\u00f1o delgado para minimizar la energ\u00eda y la p\u00e9rdida de calor.<\/li>
                    2. Debido a la disposici\u00f3n especial del banco de capacitores del tanque, no se requieren conductores enfriados por agua hasta 350kW de potencia para minimizar las p\u00e9rdidas de transmisi\u00f3n de energ\u00eda y calor<\/li>
                    3. Barreras de bus de cobre delgadas, bien investigadas y dise\u00f1adas, que ayudan a reducir las p\u00e9rdidas de transmisi\u00f3n de energ\u00eda y calor.<\/li>
                    4. Cable de fibra \u00f3ptica de M\/s Lapp, una empresa alemana de renombre, para mayor velocidad y precisi\u00f3n en la comunicaci\u00f3n<\/li>
                    5. Contactor de plata en el interruptor de transferencia.<\/li>
                    6. Estructura de marco de acero de alta resistencia para una mayor durabilidad<\/li><\/ol><\/li><\/ol>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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                      Solicitar una cotizaci\u00f3n<\/h5>
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