{"id":3367,"date":"2023-05-22T13:27:18","date_gmt":"2023-05-22T13:27:18","guid":{"rendered":"https:\/\/www.oritech.in\/?page_id=3367"},"modified":"2025-02-05T14:40:33","modified_gmt":"2025-02-05T09:10:33","slug":"oritech-hybrid-igbt-inverter-technology","status":"publish","type":"page","link":"https:\/\/www.oritech.in\/pt\/oritech-hybrid-igbt-inverter-technology\/","title":{"rendered":"Tecnologia IGBT"},"content":{"rendered":"\t\t
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\n\t\t\t\n\t\t\t\t\n\t\t\t\t\tSolicitar um Or\u00e7amento\t\t\t\t<\/span>\n\n\t\t\t\t\t\t\t<\/a>\n\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t<\/section>\n\t\t\t\t
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\"Guaranteed<\/figure><\/div>\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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\n\t\t\t\n\t\t\tA Oritech orgulha-se de se manter na vanguarda dos desenvolvimentos tecnol\u00f3gicos mais recentes no setor. Os nossos esfor\u00e7os no sentido da supera\u00e7\u00e3o traduzem-se na utiliza\u00e7\u00e3o da tecnologia IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) nos nossos produtos. Enquanto l\u00edderes inovadores neste campo, acreditamos que a tecnologia IGBT nos distingue da concorr\u00eancia e nos permite disponibilizar as melhores solu\u00e7\u00f5es aos nossos estimados clientes.\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Tecnologia de Inversores IGBT H\u00edbrida Oritech.<\/h1> \n\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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A Oritech utiliza uma abordagem de 3 passos para conseguir uma poupan\u00e7a energ\u00e9tica garantida de 7.5%:<\/p>

  1. Tecnologia<\/li>
  2. Design<\/li>
  3. Qualidade de Fabrico<\/li><\/ol>
    1. Tecnologia:<\/strong> Conseguir Uma Poupan\u00e7a Energ\u00e9tica de 4% a 5%<\/li><\/ol>
      • Tecnologia de Inversores de Base IGBT, desenvolvida a n\u00edvel nacional, mais avan\u00e7ada e super eficiente do ponto de vista energ\u00e9tico.<\/li>
      • Design h\u00edbrido do circuito do tanque paralelo alimentado por inversor de tens\u00e3o<\/li>

      • Em Que Consiste a Tecnologia IGBT?<\/h2>
        • A tecnologia IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor ou em portugu\u00eas Trans\u00edstor Bipolar de Porta Isolada) \u00e9 um componente fundamental para fornos de indu\u00e7\u00e3o de baixo consumo energ\u00e9tico, incluindo os produtos Oritech. Permite um controlo exato do fornecimento energ\u00e9tico, resultando numa transfer\u00eancia de energia altamente eficaz e num melhor desempenho global. Os fornos de indu\u00e7\u00e3o Oritech utilizam IGBT em fornos de indu\u00e7\u00e3o, tornando-os numa das solu\u00e7\u00f5es mais eficazes do ponto de vista energ\u00e9tico atualmente dispon\u00edveis no mercado global.<\/li><\/ul><\/li>

        • Vantagens do Design do Inversor IGBT H\u00edbrido Oritech<\/h2>
          • A pot\u00eancia \u00e9 controlada atrav\u00e9s da altera\u00e7\u00e3o da frequ\u00eancia.<\/li>
          • O fator de pot\u00eancia \u00e9 superior a 0.96 para 6 pulsos, 0.97 para 12 pulsos e 0.97 para 24 pulsos em qualquer carga. N\u00e3o \u00e9 necess\u00e1rio qualquer Circuito Chopper.<\/li>
          • A pot\u00eancia de sa\u00edda mant\u00e9m-se constante face \u00e0s flutua\u00e7\u00f5es da tens\u00e3o da linha.<\/li>
          • S\u00f3 a corrente Ativa passa atrav\u00e9s do Dispositivo de Pot\u00eancia.<\/li>
          • A tens\u00e3o no IGBT \u00e9 a mesma que a tens\u00e3o do barramento DC, n\u00e3o havendo, assim, sobrecarga de tens\u00e3o no IGBT.<\/li>
          • A sobrecarga de Corrente & Tens\u00e3o nos dispositivos de pot\u00eancia \u00e9 baixa.<\/li>
          • Design \u00e0 prova de curto-circuito na sa\u00edda. Este pode ser desligado com o aux\u00edlio de um inversor no espa\u00e7o de 10 \u00b5s desde a dete\u00e7\u00e3o da avaria e \u00e9 resistente a qualquer situa\u00e7\u00e3o de carga.<\/li><\/ul><\/li><\/ul>
            1. Design:<\/strong> Poupan\u00e7a Energ\u00e9tica de 1.5% a 2.5%<\/li><\/ol>
                • A perda de energia el\u00e9trica verifica-se nos circuitos e os componentes s\u00e3o controlados pelo Inversor H\u00edbrido - Projeto de Circuito de Tanque Paralelo Alimentado por Tens\u00e3o.<\/li>
                • As perdas resultantes do cabo de alimenta\u00e7\u00e3o fornecido atrav\u00e9s de uma fonte de alimenta\u00e7\u00e3o de frequ\u00eancia vari\u00e1vel para uma carga situam-se normalmente entre 2% e 7%.<\/li>
                • O percurso do circuito do tanque \u00e9, no total, inferior a 1.5 mtr.<\/li>
                • Test\u00e1mos e instal\u00e1mos com sucesso um banco de condensadores para cadinhos at\u00e9 5 mt imf, o que permite poupar cerca de 2.5% por unidade\/tonelada.<\/li>
                • Encontramo-nos a ensaiar a implementa\u00e7\u00e3o da mesma tecnologia para at\u00e9 15 mt imf. Ap\u00f3s um teste bem-sucedido, poupar\u00e1 mais 2.5% de energia, aproximadamente.<\/li><\/ul><\/li><\/ul>
                  1. Qualidade de Fabrico:<\/strong> Alcan\u00e7ar Uma Poupan\u00e7a Energ\u00e9tica de 0.5% a 1.5%
                    1. Chapa CRGO de lamina\u00e7\u00e3o fina de alta qualidade para minimizar a perda de energia e calor.<\/li>
                    2. Dada a disposi\u00e7\u00e3o especial do banco de condensadores do tanque, tornam-se desnecess\u00e1rios cabos arrefecidos a \u00e1gua at\u00e9 350kW de pot\u00eancia para minimizar a transmiss\u00e3o de energia e as perdas de calor.<\/li>
                    3. Barramento em cobre de dimens\u00f5es finas, cuidadosamente estudado e concebido, que ajuda a reduzir a transmiss\u00e3o de energia e as perdas de calor.<\/li>
                    4. Cabo de fibra \u00f3tica da empresa M\/s Lapp, fabricante alem\u00e3 conceituada, para maior velocidade e precis\u00e3o de comunica\u00e7\u00e3o.<\/li>
                    5. Contacto de prata no comutador.<\/li>
                    6. Estrutura de a\u00e7o resistente para uma maior durabilidade.<\/li><\/ol><\/li><\/ol>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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                      Solicitar um Or\u00e7amento<\/h5>
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