Chez Oritech, notre fierté est d'être à la pointe des avancées technologiques dans l'industrie. Notre volonté de poursuivre l'excellence est illustrée par l'utilisation de la technologie IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor ou Transistor Bipolaire à Grille Isolée en français) dans nos produits. En notre qualité d'innovateur de pointe dans ce domaine, nous pensons que la technologie IGBT nous distingue de la concurrence et nous permet d'offrir les meilleures solutions à nos clients estimés.

Technologie des onduleurs hybrides IGBT d'Oritech.

Oritech applique une approche en trois étapes pour réaliser des économies d'énergie garanties de 7,5 % :

  1. Technologie
  2. Design
  3. Qualité de construction
  1. Technologie : Réalisation de 4 à 5 % d'économies d'énergie
  • Technologie d'onduleur à base d'IGBT la plus avancée et la plus efficace sur le plan énergétique, développée en interne.
  • Design d'un circuit hybride d'onduleur et de réservoir parallèle alimenté en tension
  • Qu'est-ce que la technologie IGBT ?

    • Le transistor bipolaire à porte isolée (IGBT pour Insulated Gate Bipolar Transistor) est un semi-conducteur de puissance de pointe qui fusionne les meilleures caractéristiques des transistors à jonction bipolaire (BJT pour Bipolar Junction Transistor) et des transistors à effet de champ à métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET pour Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). Très répandus dans le domaine de l'électronique de puissance, les IGBT brillent dans les applications exigeant des capacités de tension et de courant robustes, telles que les entraînements de moteur, les systèmes d'énergie renouvelable, les véhicules électriques et les équipements industriels.
  • Avantages du design de l'onduleur hybride IGBT d'Oritech

    • Puissance contrôlée par le changement de fréquence.
    • Facteur de puissance supérieur à 0,96 pour 6 impulsions, 0,97 pour 12 impulsions et 0,97 pour 24 impulsions, quelle que soit la charge. Aucun circuit hacheur n'est nécessaire.
    • La puissance de sortie reste constante en cas de fluctuation de la tension de ligne.
    • Le dispositif de puissance n'est traversé que par un courant actif.
    • La tension sur l'IGBT est la même que la tension du bus DC, donc aucune contrainte de tension sur l'IGBT.
    • Les contraintes de courant et de tension sur les dispositifs de puissance sont faibles.
    • Design à l'épreuve des courts-circuits en sortie. Il peut être mis hors tension par un onduleur dans les 10 µs suivant la détection d'un défaut et fonctionne de manière robuste dans n'importe quelle condition de charge.
  1. Design : Réaliser des économies d'énergie de 1,5 % à 2,5 %.
    • La perte de puissance électrique se produit dans les circuits et les composants contrôlés par l'onduleur hybride - Design de circuit de réservoir parallèle alimenté en tension.
    • Les pertes causées par le câble électrique alimenté par une alimentation à fréquence variable vers une charge, se situent généralement entre 2 et 7 %.
    • Le chemin du circuit du réservoir est réduit à moins de 1,5 mtr.
    • Nous proposons une batterie de condensateurs de 5 mt imf, qui permet d'économiser environ 2,5 % d'unités par tonne.
    • Nous procédons à des essais pour mettre en œuvre la même technologie jusqu'à 15 mt imf. Après un essai réussi, elle permettra d'économiser environ 2,5 % d'énergie en plus.
  1. Qualité de fabrication : Réaliser des économies d'énergie de 0,5 % à 1,5 %.
    1. Feuille de fer doux de haute qualité, laminée en couches minces, pour minimiser les pertes d'énergie et de chaleur.
    2. Du fait de la disposition spéciale du banc de condensateurs, les câbles refroidis à l'eau ne sont pas nécessaires jusqu'à une puissance de 350 kW afin de minimiser la transmission de puissance et les pertes de chaleur.
    3. Le jeu de barres en cuivre de taille réduite, bien conçu et étudié, contribue à réduire la transmission d'énergie et les pertes de chaleur.
    4. Câble en fibre optique de la société M/s Lapp, marque allemande réputée, pour une vitesse de communication et une précision accrues.
    5. Contacteur en argent dans l'interrupteur de commutation.
    6. Structure en acier robuste pour une durée de vie plus longue.

COMPARAISON DES ONDULEURS À BASE D'IGBT ET DE THYRISTORS

Paramètre de Comparaison

IGBT

Thyristor

RC Snubber Circuit

Non Requis Requis
Efficacité de la Conversion de Puissance Bon Faible
Fréquence de Fonctionnement Maximale

100kHz

10kHz

Protection Contre les Courts-Circuits Rapide Lent

COMPARAISON DU DESIGN DES CIRCUITS DE PUISSANCE

Paramètre de Comparaison Conception Oritech Design en Série Design en Parallèle
Type d'Onduleur Réservoir Parallèle Sous Tension

Voltage Fed Series Tank

Current Fed Parallel Tank

Méthode de Contrôle de la Puissance Fréquence Fréquence Tension Continue
Facteur de Puissance

0,96 pour 6-P
0,97 pour 12-P
0,97 pour 24-P

Supérieur à 0,955 Varie Suivant la Charge
Effet de la Tension de Ligne sur la Puissance de Sortie Pas d'Effet Pas d'Effet Varie Suivant la Tension de la Ligne
Stress de Tension sur les Dispositifs de Puissance Faible Faible Haute
Contrainte de Courant sur les Dispositifs de Puissance Faible Haute Faible
Capacité de Court-Circuit de Sortie Continu Quelques Millisecondes Quelques Millisecondes

CARACTÉRISTIQUES DE NOS ÉQUIPEMENTS

  • Design d'onduleur à IGBT développé en interne, très fiable et efficace.
  • Facteur de puissance supérieur à 0,96 pour 6- P, 0,97 pour 12-P, 0,97 pour 24-P dans toutes les conditions de charge.
  • Superficie minimale au sol requise.
  • Aucun câble refroidi à l'eau jusqu'au four 350 kW, réduisant ainsi les pertes importantes.
  • La gestion intelligente de la charge augmente la production de plus de 110 %.
  • Le cycle de frittage automatique augmente la durée de vie du revêtement.
  • Commande entièrement numérique basée sur le DSP.
  • La sélection de la langue dans l'interface utilisateur simplifie l'utilisation du système.
  • Historique des Alarmes, Archivage des Données et Suivi des Tendances.
  • L'équipement est accessible dans le monde entier via Internet.
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